IC核心工艺组成：晶圆制作，芯片制作，封装测试

匀胶机：低俗摊开，高速摊平。
遇到的基本问题为：有气泡，首先是胶，静置抽真空，其次是点胶嘴产生的气泡，还有甩出的胶有波纹状，一般是转速不平衡，也有晶圆表面不光滑导致很少。

氧化工艺:有干法氧化和湿法氧化,首先把表面的杂质的污染物去掉，在晶圆表面生成一层氧化膜（保护膜），使晶圆免受一些化学物质的侵蚀，也可以避免电流进入电路，预防在后续的制作过程中(如:离子注入)形成扩散，从而达到更高的离子注入精度，还可以防止晶圆在蚀刻的过程中滑脱。

沉积工艺：
有CVD化学气相沉积：通过混合的化学气体在硅片积累出一层固态的薄膜工艺。
和PVD物理气相沉积：在真空环境中，通过物理手段（蒸发、溅射等） 将靶材（薄膜原料）转化为气态原子、分子或离子，这些粒子迁移到衬底表面后凝结成膜的工艺。

CMP工艺：也称为化学机械抛光，结合了化学研磨和机械研磨的优势，可以实现纳米级的抛光优势，核心方面有两个,一、物理方面的机械头，二、化学刻蚀液(浓度，颗粒浓度)。
作用：为了后续制造能达到更高的一个精度。

离子注入工艺：是半导体制造中精准控制杂质掺杂的核心工艺 —— 通过高能离子束将特定杂质（如硼、磷、砷）注入硅衬底，经退火激活后改变半导体局部电学特性（导电性、载流子浓度），从而实现晶体管的源极、漏极、栅极等关键区域的功能定义，是支撑器件微缩和性能优化的核心步骤。
离子注入机：首先将掺杂物注入离子源，然后加热并施加电压形成高能离子，通过离子加速（如：电场加速），离子注入直接打在晶体表面，击打能力比较高，可以打透氧化层达到一定的深度，从而达到目的，通过改变离子能量、注入量改变深度和浓度。
离子注入结束还需要有加热退火这一过程：首先是修复离子注入导致的晶格损伤降低表面的应力，其次是要激活杂质离子，才能让掺杂区具备预设的导电功能，同时制造出N极（N 型半导体）或P极（P 型半导体）。

清洗设备：是半导体环节必不可少的动作也是影响半导体良率的重要因素。
湿法清洗（主流）: 对圆晶的表面进行无损伤的清洗，化学溶剂的方式，效率高成本低，会造成化学污染，也可能使晶体产生交叉污染和图层损伤，清洗过程中有一个腐蚀\溶解过程。
干法清洗：如气态清洗，等离子清洗，不需要使用化学溶剂，不对环境产生污染，不会产生交叉污染，磨损也比较低，但成本高，控制精度需要高，技术壁垒比较高。
硅晶片单片清洗：不会导致交叉污染，对质量控制好，但产能效率低。
硅晶片湿法清洗：批量式的清洗方式，产能效率高，有很强的污染性，对质量来说波动性比较大。
硅晶片灰化清洗：在真空环境下，利用高能等离子体（以氧气为主）将晶圆表面的有机物（如光刻胶、聚合物残渣、吸附性有机污染物）氧化分解为气态产物（CO₂、H₂O 等），通过真空系统排出，实现 “无残留、无损伤” 的清洁效果。

后端封装工艺：依次通过剪薄机，晶圆切割机，配片机，引线键合机，塑封，切筋成型，终测。

键合工艺：通过金属引线（金 / 铜 / 铝线），将芯片焊盘上的焊点与封装引脚（或基板焊盘）连接，实现电信号和功率传输，分为热压：稳定高，速度慢，键合点精度一般，热压超声：温度低，速度快，线形好，键合点好，成本高，超声键合：常温键合，速度快，线形歪斜
切筋成型：半导体封装后道工序，切除引脚间的连接框架（筋条），将引脚弯折成标准形状（如 J 型、鸥翼型），适配 PCB 板焊接安装，保证引脚间距、垂直度符合规格。
终测：封装成品的最终质量检测，通过 ATE 设备测试电性能（导通性、功能、耐压）、外观（引脚变形、封装缺陷）、可靠性，筛选不合格品，确保产品符合出货标准。

贴片工艺在封装中的作用：单个芯片焊接或者贴到引线框架，高温加热或者压力粘贴，这个过程叫贴片，共晶粘贴：银浆，导电胶粘贴（用的多）：放导电胶，再放芯片，烤压，焊接粘贴：焊料压模成型，加热，在镶片，也就是把芯片放到压好的磨具

贴装工艺三种优缺点：
共晶粘贴：局部金属共融，高温，超声，三四百度的时候金硅银会互溶，可靠，高功率，成本高。
导电胶粘贴：低温工艺，敏感器件，低成本
焊接粘贴：通用量产，平衡性能与成本